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碲鋅鎘單晶

發布日期:2017-11-25 發布人: 原創 瀏覽次數:2662
碲鋅鎘單晶
厚度:900μm±50μm
晶向:<111>±0.2°
Zn值:4.5或10(±1%)
平均位錯腐蝕坑密度(EPD):≤5*10?cmˉ2
雙晶衍射半峰寬(FWHM)最大值:≤20arecsec
紅外透過率(4000-400CM-1)≥60%
表面粗糙度(Ra):≤0.5nm
總厚度變化(TTV)≤3μm
夾雜尺寸:≤5μm
無小角晶界及孿晶(X射線形貌相檢測)

詳細描述

CdZnTe晶體是一種極具工程意義和戰略意義的功能材料,比如用CdZnTe制造的醫學成像儀為病人檢查身體時可拍攝出更加清晰的照片,同時,又可減少輻射。CdZnTe晶體還是制造性能優良的儀器、儀表的重要原材料。


應用領域:

它還被廣泛用作紅外探測器HgCdTe的外延襯底和室溫核輻射探測器等,它具有優異的光電性能,可以在室溫狀態下直接將X射線和γ射線轉光子變為電子,是迄今為止制造室溫X射線及γ射線探測器最為理想的半導體材料。與硅和鍺檢波器相比,CdZnTe晶體是唯一能在室溫狀態下工作并且能處理兩百萬光子/(s·mm)的半導體。另外,CdZnTe晶體分光率勝過所有能買到的分光鏡。CdZnTe探測器的諸多優點,使得它得到了越來越廣泛的應用,核安全、環境監測、天體物理等領域均有應用。在科學研究方面,CdZnTe探測器在高能物理學方面有很大的應用前景,例如它可用于高能粒子的加速系統?;衔锇雽w探測器具有很大的競爭力,可以預料在粒子物理方面的應用會得到很大發展。此外,CdZnTe探測器在天文物理研究方面也具有廣闊的應用前景。當前,CdZnTe探測器的研究是處于一個迅速發展階段的很有意義的新課題。


發展方向:

當前,CdZnTe探測器兩個重要發展方向是:多塊大體積并行探測器和面元陣列探測器。前者由多塊體積大于1cm的CdZnTe晶體陣列組成,這類探測器解決了單個探測器體積小,總探測效率低的缺點,大大縮短了測量時間,尤其適于便攜式譜儀系統,可應用于環境、港口、鐵路貨物等的放射性監測。后者是由CdZnTe晶體面元陣列組成,主要應用于核醫學、天體物理等領域的能譜成像。
CdZnTe探測器的發展和使用,使獲取高性能光子的高效探測器成為可能,隨著高品質CdZnTe半導體晶體制備技術的不斷提高,對載流子收集過程進一步深入理解和低噪聲微電子學的迅速發展,CdZnTe探測器必將在更廣泛的領域獲得到應用。

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